作为全球范围内受关注度数一数二的机型，每年 iPhone 发售后所出现的大小问题也备受注意。今年的 iPhone XS 和 iPhone XS Max 发售后，手机移动网络信号差、WiFi 表现不给力的问题为国内外不少用户所吐槽。
此前，国外技术网站 WiWavelength 就对两款新 iPhone 的信号表现进行了 测试，结果显示，iPhone XS 和 iPhone XS Max 在大多数频段中，射频输出功率都没能超过 200mW 这一基准线，表现均不如去年发布的 iPhone 8 Plus，甚至也并没能超过相同外观设计的 iPhone X。
（图片来源：WiWavelength）关于信号不给力的问题，目前普遍被归咎于新 iPhone 内置的英特尔基带芯片。基带是手机中负责网络信号解调处理的通信模块，可以说基带性能的强弱决定了手机通话、上网等基础体验的好坏，虽然基带受消费者关注更少，但与决定手机运行性能的处理器相比，它的重要性可以说只大不小。
此前，高通一直是 iPhone 基带芯片的主要供应商，虽然从 iPhone 7 开始，苹果也在手机中混用英特尔的基带芯片，但由于全网通的优势，高通的供货仍占大头。
在 iPhone 7、iPhone 8 这两代，外媒 CellularInsights 就曾进行过测试，显示高通基带版本的 iPhone 7 在信号较弱时，数据传输率能超出英特尔基带版本 30% 以上，到 iPhone 8/iPhone X 两者基带仍存在差距，并且苹果可能为了‘照顾’英特尔的基带表现对高通基带版本进行了一些限制，4 × 4 MIMO、四路载波聚合等特性就被禁用。
而由于去年开始苹果与高通陷入专利纠纷，据悉新 iPhone 在基带方面全部采用了英特尔的 XM7560 芯片，这款芯片支持全网通、4 × 4 MIMO、QAM 和 LAA 技术，上行速率和下行速率分别能达到 Cat 13 和 Cat 16 级别，还加入了对双卡双待的支持。
虽然理论性能不俗，但有鉴于此前与高通基带相比存在差距，同时这又是英特尔首次为苹果提供全网通基带，也就不难理解为什么炮火都指向英特尔了。
另一种可能性则是设计存在缺陷。其实通过上面 WiWavelength 的测试结果便可以看出，处于同代的 iPhone 8 Plus 和 iPhone X 在信号表现方面差距明显，这就是两款机型采用不同设计导致的差异。
手机天线一般排布于外框，主天线和从天线分置于屏幕上下。为了避免受到其它元器件的干扰，保证全向的通信能力，需要给天线留出一块净空区。在 16：9 屏幕比例的手机占主流的时代，手机额头和下巴留出了足够的天线净空区（约 7 至 9mm），一般来讲天线空间越大，性能表现也会越好，因此这样的设计对信号的影响较小，这也是为什么 iPhone 8 Plus 信号表现良好。
到了全面屏时代，由于屏幕上下两端的区域被大幅压缩，天线的空间便被挤压，导致基带性能表现尤其是低频段表现不佳，而全面屏设计并做到四边框等宽的 iPhone X 和 iPhone XS 系列正是如此。
只是今年 iPhone XS 系列为了强化信号表现还在上下两端新增了两个天线开孔，按理说表现至少相比 iPhone X 应该有所改善才是，若非基带本身的问题，那则可能是新 iPhone 的内部结构存在问题。WiWavelength 就表示，尽管 iPhone XS 系列设计了 4 根天线，但实测发现没有增益反而造成了衰减，这极有可能是结构设计出了差错，这意味着今后即便通过软件更新也不一定能得到改善。
